Phase-change memory:IBM新型存诸技术
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Phase-change memory是由IBM公司的研究机构所开发的一种新型存储芯片，将有望来替代如今的闪存Flash和硬盘驱动器HDD。
依照此项技术制成的概念样品在读写的速度上比目前的Flash闪存要快500倍，而电力消耗却仅为一半。在体积上phase-change memory也要轻小得多，大概为3-20纳米(一纳米为10亿分之一米)。此种芯片依靠一种添加了锗的新型原料，此项原料技术已经申请专利。并且phase-change memory会比现在的闪存有更长久的使用寿命，可以读写超过10万次。
在双核，四核处理器的出现，以及内存的更新换代，个人电脑的速度瓶颈目前便主要是由于硬盘速度和总线速度的限制。(个人观点，如有错误请指正)
期待此项存诸技术的成熟和推广。